II. Tranzistoare unipolare

2.1. Generalitati

Tranzistoarele în care conductia electrica este asigurata de un singur tip de purtatori de sarcina, se întalnesc în literatura sub denumirea de unipolare sau efect de câmp. Pentru aceste tranzistoare se foloseste prescurtarea de tranzistoare TEC sau FET (Field Effect Trasistor).
Functionarea lor se bazeaza pe variatia conductibilitatii unui ,,canal” realizat dintr-un material semiconductor, ale carui dimensiuni tranversale sau concentratii de purtatori de sarcina mobili pot fi controlate cu ajutorul campului electric tranzversal, creat între un electrod de comanda numit grila sau poarta, situat în vecinatatea canalului si masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal.
În functie de modul de realizare a grilei, distingem tranzistoarele cu grila jonctiune TEC-J si cu grila izolata TEC-MOS.
Tranzistoarele TEC prezinta avantajul, în raport cu cele bipolare, ca au o rezistenta de intrare mare, au o tehnologie de fabricatie mai simpla si ocupa o arie de siliciu mai mica în sructurile integrate. Pe de alta parte tranzistorul cu efect de câmp nu amplifica în curent. În circuitele electronice cu componente discrete se întalneste si în combinatie cu tranzistorul bipolar.
Pâna în 1970 tranzistoarele cu efect de câmp realizate abia puteau comanda curenti de câteva zeci de mA la tensiuni de zeci de volti. Apoi, o noua tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere (cu nume depinzând de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc.). Aceste noi tranzistoare sunt capabile sa opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V si sa vehiculeze curenti medii de pâna la 70 A; pentru durate scurte, ele pot conduce curenti de pâna la 280 A (curenti de vârf). În plus, tranzistoarele MOS de putere sunt mult mai stabile termic decât corespondentele lor bipolare, la acelasi tip de capsula putând opera la puteri disipate mai mari.
Într-un tranzistor bipolar prin emitor sunt injectati pu