COLEGIUL TEHNIC “EDMOND NICOLAU”







Tranzistorul cu
efect de câmp













BUCURESTI - 2004

Tranzistorul cu efect de câmp are mai multe caracteristici tehnice. Tranzistoarele cu efect de câmp sunt de mai multe tipuri:
1. tranzistorul cu efect de câmp cu jontiune (TEC-J),
2. tranzistorul cu efect de câmp cu poarta (grila) izolata (TEC-MOS), TEC-ul cu poarta izolata este cunoscut mai mult în varianta MOS (cu metal-oxid-semiconductor). TEC-MOS constituie unicul reprezentant al familiei TEC-MIS (tranzistorul cu efect de câmp cu metal-izolator-semiconductor),
3. tranzistorul cu efect de câmp MOS în regim de saracire (reprezinta regimuri de lucru ale tipului TEC-MOS),
4. tranzistorul cu efect de câmp MOS în regim de îmbogatire.
În afara de TEC-J si TEC-MOS („clasice”, binecunoscute) mai sunt si tipurile: MESFET (tranzistorul cu efect de câmp cu poarta realizata prin contact „metal-semiconductor”) si VMOS (tranzistorul cu efect de câmp MOS cu canal vertical).
Tranzistorul cu efect de câmp tip metal-oxid-semiconductor (TEC-MOS) este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale:
- sursa este electrodul de unde pleaca sarcinile electrice (S),
- drena este electrodul catre care se îndreapta sarcinile electrice (D),
- poarta sau grila este electrodul care comanda comportarea dispozitivului (G).
Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu. Când se aplica o tensiune între poarta si sursa („+” pe poarta si „–” pe sursa pentru MOSFET cu canal n) se creeaza un câmp electric ca într-un condensator plan. Câmpul electric creat atrage lânga suprafata electroni. Pâna la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de lânga suprafata nu sunt suficiente pentru crearea unui canal conductor între sursa si drena. Peste valoarea de prag câmpul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice lânga suprafata si conductanta (înversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste. Curentul ID care trece între s