Efectul Hall este unul dintre efectele galvanomagnetice importante pentru determinarea parametrilor ce caracterizează din punct de vedere electric materialele semiconductoare.
Lucrarea îşi propune determinarea experimentală a dependenţei tensiunii Hall de inducţia magnetică a câmpului aplicat, la temperatura camerei. Prin prelucrarea valorilor măsurate se calculează constanta Hall, mobilitatea Hall şi concentraţia purtătorilor de sarcină din proba semiconductoare.
Efectele galvanomagnetice sunt fenomene secundare care iau naştere în conductori sau semiconductori când asupra lor acţionează simultan câmpuri electrice şi magnetice. Intensitatea fenomenelor este maximă când câmpul electric şi cel magnetic sunt perpendiculare între ele.
Semiconductorii sunt materiale care la temperaturi obişnuite se găsesc în stare solidă (germaniu, siliciu, telur, seleniu, sau compuşi ca: oxizi, sulfuri, seleniuri ale diferitelor metale) Aceştia posedă aproximativ 1018 purtători de sarcină pe m3 şi au conductivitatea electrică cuprinsă între 10-10 şi 103 (m)-1, şi deci conductivitatea electrică a semiconductorilor este mică. Aceasta creşte însă în raport cu temperatura şi este puternic influenţată de defectele existente în structura reţelei cristaline, în speţă de impurităţile pe care le conţine semiconductorul dat.