Tranzistorul bipolar

Tranzistorul bipolar contine trei parti din siliciu (germaniu) foarte purificat la care sunt adougate cantitati mici de materile dopante. Legatura dintre placutele de siliciu se numeste jonctiune care da voie curentului sa treaca de la n la p. Conexiunea la fiecare placuta este facuta prin evaporarea de aluminiu pe suprafata acestora ; stratul de dioxid de siliciu protejeaza partile nemetalice. Un curent mic intre jonctiunea baza-emitor produce un curent de 10 pana la 1000 de ori mai mare decat cel dintre colector si emitor (Sagetile arata curentul pozitiv). Tranzistorii sunt folositi in diferite domenii de la detectori electronici sensibili pana la amplificatoare puternice Hi-Fi .
Tranzistorii au fostconceputi la Laboratoarele Bell Telephone de fizicienii americani Walter Houser Brattain, John Bardeen si William Bradford Shockley Pentru aceasta realizare cei trei au impartit in 1956 Premiul Nobel in fizica. Shockley este cunoscut ca initiatorul cercetarilor asupra materialelor semiconductoare ce au dus la descoperirea acestor tipuri de dispozitive. Colegii sai sunt creditati pentru descoperirea diferitor tipuri de tranzistori.
Proprietatile electrice ale materialelor semiconductoare sunt determinate de structura atomica. Intr-un cristal pur de germaniu sau de siliciu atomii sunt legati intr-un aranjament periodic formand un cub perfect. Fiecare atom din cristal are patru electroni de valenta, fiecare interactioneaza cu electronul din vecinatate pentru a forma o legatura divalenta. Deoarece electronii nu sunt liberi sa se miste materialul pur la temperaturi scazute se comporta ca un izolator.
Cristalele de germaniu si siliciu ce contin cantitati mici de anumite impuritati pot conduce curentul si la tempereturi scazute. o impuritate cum ar fi fosforul se mumeste impuritate donoare pentru ca contribuie la un exces de electroni, numai patru intrand in legatura divalenta cu germaniu sau siliciu. cand este aplicat un curent electronul ramas este